溫度范圍

-100°C ... 500°C  

升溫速率

zui高 50 K/min

冷卻系統(tǒng)

- CC200F3（液氮制冷）：-100°C ... 500°C；軟件控制

- CC200F3（液氮制冷）：-100°C ... 500°C，選配液氮自動(dòng)填充，軟件控制，液位監(jiān)控

熱擴(kuò)散系數(shù)

0.01 mm²/s ... 1000 mm²/s

熱導(dǎo)率

0.1 W/(m·K)  ... 2000 W/(m·K)

準(zhǔn)確度

熱擴(kuò)散系數(shù)：+/- 3%

比熱：+/- 5%（標(biāo)準(zhǔn)樣品）

重復(fù)性

熱擴(kuò)散系數(shù)：+/- 2%

比熱：+/- 3%

氙燈

- 脈沖能量：zui高至10J/pulse（可調(diào)），軟件控制

- 脈沖寬度：20微秒μs至1200微秒，可調(diào)

ZoomOptics

選件，優(yōu)化檢測(cè)視野，無需遮光片。技術(shù)

Pulse mapping

Pulse mapping技術(shù)（US 7038209，US20040079886，DE 10242741）。

修正脈沖能量，提高比熱計(jì)算精度。

紅外檢測(cè)器

- InSb：室溫至500℃

- MCT  (Hg-Cd-Te): -100°C ... 500°C

兩種檢測(cè)器都裝有0.5L杜瓦瓶，額定工作時(shí)間24小時(shí)

氣氛

惰性，氧化，靜態(tài)和動(dòng)態(tài)

數(shù)據(jù)采集

- 頻率zui大至2MHz

- 采樣時(shí)長(zhǎng)（10倍的半升溫時(shí)間）zui短可達(dá)為1ms，有利于高導(dǎo)熱材料或薄膜材料的測(cè)試

（如鋁，銅箔，薄膜等）

- 采樣時(shí)長(zhǎng)（10倍的半升溫時(shí)間）zui長(zhǎng)可達(dá)120s，有利于低導(dǎo)熱或較厚樣品的測(cè)試

（如聚合物，耐火材料等）

氣體控制

配備氣體開關(guān)，可選配減少壓力和氣體循環(huán)的MFC系統(tǒng)

自動(dòng)進(jìn)樣器

4個(gè)樣品支架位，可放置多達(dá)16個(gè)圓形或方形樣品槽（根據(jù)樣品尺寸、形狀不同）

特殊樣品支架

提供特殊的樣品支架，適合不同的特殊應(yīng)用，如熔融聚合物和低粘度液體，樹脂固化過程，

漿料，粉末，纖維，水平方向或加壓下的測(cè)試等